时间：2025/8/24 19:53:39
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FDMC4435BZ_F126是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的PowerTrench?技术，旨在提供低导通电阻（RDS(on)）和卓越的热性能，适用于需要高效功率管理的应用。该MOSFET采用8引脚DFN封装，具有良好的散热能力和紧凑的尺寸，适用于空间受限的设计。FDMC4435BZ_F126广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、马达控制以及电池供电设备等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：7.4A（@ VGS=10V）
漏极-源极击穿电压（VDS）：30V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：23mΩ（@ VGS=10V）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：8-DFN（5x6mm）
FDMC4435BZ_F126具有多项优异的电气和热性能，使其在功率MOSFET市场中脱颖而出。其核心特性之一是低导通电阻（RDS(on)），仅为23mΩ，这有助于降低导通损耗并提高整体效率。此外，该器件采用先进的PowerTrench?技术，优化了晶圆结构，从而在高电流条件下仍能保持稳定的性能。
该MOSFET的8-DFN封装设计提供了出色的热管理能力，能够在高功率密度应用中有效散热。其封装尺寸为5x6mm，非常适合对空间要求严格的应用，如便携式电子设备和嵌入式系统。
另一个重要特性是FDMC4435BZ_F126的高可靠性和稳定性。其栅极氧化层设计可承受高达±20V的栅极电压，增强了抗过压能力，降低了因电压波动导致的故障风险。同时，该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，确保在极端环境条件下仍能稳定运行。
此外，FDMC4435BZ_F126具备快速开关能力，能够支持高频操作，从而减少开关损耗并提高系统的响应速度。这一特性对于需要高效率和快速动态响应的电源转换应用尤为重要。
FDMC4435BZ_F126广泛应用于多个领域，包括电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、马达控制、电池管理系统以及各种工业和消费类电子产品。在电源管理应用中，该MOSFET可用于高效能的功率开关，以降低能量损耗并提高系统效率。在DC-DC转换器中，FDMC4435BZ_F126的低导通电阻和快速开关特性使其成为理想的功率开关元件，适用于降压、升压和反相转换器拓扑结构。
在负载开关应用中，FDMC4435BZ_F126能够实现高效的电源分配和管理，通过控制栅极电压来开启或关闭连接的负载，减少静态电流并延长电池寿命。在马达控制方面，该器件可用于H桥驱动电路，实现对直流马达的精确控制。
此外，该MOSFET还适用于电池管理系统（BMS），用于电池充放电控制和保护电路。其高可靠性和宽工作温度范围也使其适用于工业自动化、测试设备和通信基础设施。
Si4435BDY-E3-GE3, FDC4435BZ, FDS4435BZ
