类型：功率MOSFET
　　沟道类型：双N沟道
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：10A（每个通道）
　　导通电阻(Rds(on))：24mΩ（最大值）
　　功率耗散：4.8W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：DFN5x6

WSD6036DN 具备多项出色的性能特点，使其在众多功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。这对于需要高效能转换的DC-DC转换器和电池管理系统尤为重要。
　　其次，双N沟道MOSFET的设计允许在同一封装内实现两个独立的MOSFET器件，节省了PCB空间并简化了电路设计。这对于紧凑型电子产品（如笔记本电脑、平板电脑和智能手机）非常有利。
　　此外，WSD6036DN采用了DFN5x6封装，具有优异的散热性能，能够在高负载条件下保持稳定工作。封装底部的散热焊盘有助于将热量有效地传导到PCB上，从而提高器件的可靠性。
　　该器件还具备较高的栅极电压容限（±20V），使得其在使用过程中更加稳定，能够承受一定的过压情况，提高了系统的安全性和可靠性。
　　最后，WSD6036DN的工作温度范围广泛，能够在极端温度条件下正常工作，适用于各种恶劣环境。

WSD6036DN 可广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　1. **DC-DC转换器**：由于其低导通电阻和高效率特性，WSD6036DN 非常适合用于降压、升压或反相转换器中，作为开关元件使用。
　　2. **负载开关**：在需要控制高电流负载的场合，如电源管理模块或外设控制器中，WSD6036DN 能够快速开启和关闭负载，提高系统的能效。
　　3. **电机控制**：在小型电机驱动器中，该器件可以用于控制电机的启停和方向，同时提供过载保护功能。
　　4. **电池管理系统**：在便携式设备和电池供电系统中，WSD6036DN 可以用于电池充放电管理，确保系统安全可靠运行。
　　5. **电源管理模块**：适用于各种电源管理系统，如服务器、网络设备、工业控制系统等，提供高效的功率控制解决方案。

Si7153DP-T1-GE3, TPS2R30DDC, AO4406A