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FDMC0310AS_F127 发布时间 时间:2025/8/24 10:50:36 查看 阅读:5

FDMC0310AS_F127是一款高性能的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由安森美半导体(ON Semiconductor)制造。该器件设计用于高频率开关应用,具备低导通电阻(Rds(on))和优良的热性能,适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等多种电子系统。FDMC0310AS_F127采用先进的PowerTrench?技术,能够提供卓越的能效和稳定性,是工业、消费类电子以及汽车电子中的常用功率器件。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):12A(在Tc=25°C)
  功耗(Pd):3.5W
  导通电阻(Rds(on)):最大9.5mΩ(在Vgs=10V时)
  栅极电荷(Qg):15nC(典型值)
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:PowerPAK SO-8
  安装类型:表面贴装
  技术:PowerTrench?
  湿度敏感度:1级
  无铅状态:符合RoHS标准

特性

FDMC0310AS_F127具有多项优异的电气和热性能,首先,其采用PowerTrench?技术,通过优化的沟槽结构设计,显著降低了导通电阻,从而减少了导通损耗,提高了能效。此外,该器件的低栅极电荷(Qg)使其在高频开关应用中表现出色,能够有效降低开关损耗,提高系统响应速度。FDMC0310AS_F127的PowerPAK SO-8封装不仅体积小巧,便于在高密度PCB设计中使用,同时具备优良的散热性能,确保器件在高负载条件下仍能保持稳定工作。
  该MOSFET还具备良好的耐压能力和抗过载能力,在极端工作条件下仍能保持可靠运行。其±20V的栅源电压耐受能力允许使用更高的驱动电压,从而加快开关速度,降低导通电阻。此外,FDMC0310AS_F127的工作温度范围宽达-55°C至150°C,适用于各种严苛环境,如工业自动化、汽车电子和户外设备等。
  由于其优异的性能和可靠性,FDMC0310AS_F127广泛应用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统中。在这些应用中,它能够提供高效的功率控制,同时减少发热,延长系统寿命。

应用

FDMC0310AS_F127广泛应用于多个高性能功率管理领域,包括但不限于:DC-DC转换器,用于提高转换效率并减小电路体积;同步整流器,用于反激式和正激式电源中,提高整流效率;负载开关,用于控制电源通断,保护电路免受过载影响;电机驱动器,用于控制直流电机或步进电机的速度和方向;电池管理系统,用于电池充放电控制和保护电路;以及工业自动化设备、消费类电子产品和汽车电子系统中的功率控制模块。

替代型号

FDMC0310AS_F127的替代型号包括FDMS3610、FDS6680、Si4410BDY、IRF7413、AO4407、FDMC8010、FDMC8018、FDMC8030、FDMC8050等。这些器件在性能、封装和应用方面具有一定的兼容性,可根据具体设计需求进行选择。

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