时间：2025/5/28 22:40:43
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FDMB2307NZ 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，适用于高频开关和功率管理应用。该器件采用小型封装设计，能够提供高效的性能表现，并具备低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关速度等特性。其广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备领域。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：3.6A
导通电阻 (Rds(on))：35mΩ
栅极阈值电压：1.8V~2.5V
总功耗：1.2W
工作温度范围：-55°C~175°C
封装形式：SOT-23
FDMB2307NZ 具有出色的电气性能，特别是在低电压条件下表现出较低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。
它采用了先进的制造工艺，确保了良好的热稳定性和可靠性，能够在高频率下实现快速开关操作。
此外，其小型化封装非常适合空间受限的设计场景，同时支持表面贴装技术以简化生产流程。
在动态性能方面，此器件拥有较短的开关时间和低输入电容，从而减少了开关损耗并优化了整体性能表现。
FDMB2307NZ 广泛用于直流电机驱动、LED 照明驱动、负载开关、多相电源管理、便携式电子设备中的电池保护电路等领域。
此外，它还可作为同步整流器或降压转换器的一部分，在各种 DC-DC 转换器中发挥重要作用。
由于其紧凑的尺寸和高效的工作特性，该器件特别适合对成本敏感且要求高性能的应用场合。
FDMB2307N, FDMC2307NZ
