FDMA520PZ是一款高性能的MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)器件,专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于各种电源管理和电机驱动场景。
FDMA520PZ属于N沟道增强型MOSFET,其出色的电气性能使其成为功率转换、负载开关以及DC-DC转换器等应用的理想选择。此外,它还具备较高的雪崩击穿能力和抗静电能力,确保在恶劣环境下的可靠运行。
型号:FDMA520PZ
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压Vds:60V
最大栅源电压Vgs:±20V
连续漏极电流Id:52A
导通电阻Rds(on):1.3mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总功耗:75W
结温范围:-55°C至175°C
封装形式:TO-247
FDMA520PZ具有以下显著特性:
1. 低导通电阻:Rds(on)仅为1.3mΩ,能够有效降低导通损耗,提高系统效率。
2. 快速开关速度:得益于其优化的内部结构,开关时间短,适合高频工作场合。
3. 高电流处理能力:支持高达52A的连续漏极电流,满足大功率应用需求。
4. 耐热性优异:结温范围宽达-55°C至175°C,适应多种温度环境。
5. 稳定性强:具备良好的雪崩击穿能力和抗静电保护功能,提高了器件的可靠性。
6. 封装坚固:采用TO-247标准封装,散热性能优良,便于安装与维护。
FDMA520PZ广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):包括AC-DC适配器、充电器及各类电源模块。
2. 电机驱动:用于工业自动化设备中的直流无刷电机控制。
3. DC-DC转换器:适用于汽车电子、通信设备及消费类电子产品中的电压调节。
4. 电池管理系统(BMS):为电动汽车及储能系统提供高效的功率管理。
5. 负载开关:实现对负载电路的精准控制,防止过流或短路现象发生。
6. 逆变器:用作关键功率级组件,助力光伏发电及不间断电源(UPS)系统的运行。
IRF540N
STP55NF06
FDP5500
IXFN50N06T2