FDMA430NZ 时间：2025/8/2 8:36:08 阅读：32

FDMA430NZ是一款由ON Semiconductor生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频率开关应用。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具有低导通电阻和优良的开关性能，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关等应用。FDMA430NZ是一款N沟道增强型MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的热管理和电流承载能力。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：20V（最大值）
　　连续漏极电流（ID）：80A（Tc=25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：3.2mΩ（典型值，VGS=10V）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　功耗（PD）：130W

特性

FDMA430NZ采用了先进的Trench沟槽技术，使其在低导通电阻和高开关速度之间取得了良好的平衡。其导通电阻RDS(on)仅为3.2mΩ，在VGS=10V时可提供极低的导通损耗，适用于高效率的电源转换系统。此外，该MOSFET具有较高的电流承载能力，在连续漏极电流下可达到80A，适用于高功率密度的设计。
　　该器件的工作温度范围为-55°C至175°C，具有良好的热稳定性和可靠性，适用于工业级和汽车电子应用。其TO-252封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和焊接，适合于表面贴装工艺。
　　FDMA430NZ还具备良好的抗雪崩能力和过载保护性能，能够在极端工作条件下保持稳定运行。其栅极驱动电压范围宽，支持标准逻辑电平控制，适用于各种PWM控制电路和开关电源应用。
　　由于其低输入电容和快速开关特性，FDMA430NZ在高频开关应用中表现出色，能够有效降低开关损耗并提高系统效率。这使得它成为DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统等应用的理想选择。

应用

FDMA430NZ广泛应用于需要高效能、高电流处理能力的电力电子系统中。例如，在DC-DC转换器中，它可以用作主开关或同步整流器，提高转换效率；在电源管理系统中，作为负载开关或电源分配控制元件；在电动工具、电动车和工业自动化设备中，作为电机驱动或功率控制的核心元件。
　　此外，该MOSFET还可用于电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）、逆变器、功率放大器以及各类高功率便携式设备中。其高可靠性和宽工作温度范围也使其适用于严苛环境下的工业控制和汽车电子系统。