FDMA410NZ 是一款由 Fairchild(现为 ON Semiconductor)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特性,适用于多种电源管理和电机驱动应用。
FDMA410NZ 主要用于需要高效能、低损耗和高可靠性的设计场景,例如 DC-DC 转换器、开关电源(SMPS)、负载开关和电池管理等。
型号:FDMA410NZ
类型:N 沟道 MOSFET
封装:TO-263 (D2PAK)
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):58A
导通电阻(Rds(on)):3.9mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
栅极电荷(Qg):47nC(典型值)
开关速度:快速
至 +175°C
FDMA410NZ 提供了非常低的导通电阻,这有助于降低传导损耗并提高系统效率。
该器件具备高雪崩能量能力,增强了其在异常条件下的耐用性。
MOSFET 的快速开关特性使其适合高频应用,从而可以减少磁性元件的体积和成本。
它还拥有较低的输入和输出电容,进一步优化了开关性能。
由于其 TO-263 封装,这款器件能够实现良好的散热效果,非常适合功率密度要求较高的应用。
FDMA410NZ 广泛应用于各种功率转换和控制领域,包括但不限于以下应用:
- 开关模式电源(SMPS)
- DC-DC 转换器
- 电机驱动电路
- 电池保护和管理系统
- 电信设备中的负载开关
- 工业自动化中的继电器替代方案
此外,该器件还可用于汽车电子系统的功率管理部分。
FDMS410NZ, IRFZ44N, FDP5500