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FDMA410NZ 发布时间 时间:2025/4/28 18:09:35 查看 阅读:2

FDMA410NZ 是一款由 Fairchild(现为 ON Semiconductor)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特性,适用于多种电源管理和电机驱动应用。
  FDMA410NZ 主要用于需要高效能、低损耗和高可靠性的设计场景,例如 DC-DC 转换器、开关电源(SMPS)、负载开关和电池管理等。

参数

型号:FDMA410NZ
  类型:N 沟道 MOSFET
  封装:TO-263 (D2PAK)
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大漏极电流(Id):58A
  导通电阻(Rds(on)):3.9mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  栅极电荷(Qg):47nC(典型值)
  开关速度:快速
   至 +175°C

特性

FDMA410NZ 提供了非常低的导通电阻,这有助于降低传导损耗并提高系统效率。
  该器件具备高雪崩能量能力,增强了其在异常条件下的耐用性。
  MOSFET 的快速开关特性使其适合高频应用,从而可以减少磁性元件的体积和成本。
  它还拥有较低的输入和输出电容,进一步优化了开关性能。
  由于其 TO-263 封装,这款器件能够实现良好的散热效果,非常适合功率密度要求较高的应用。

应用

FDMA410NZ 广泛应用于各种功率转换和控制领域,包括但不限于以下应用:
  - 开关模式电源(SMPS)
  - DC-DC 转换器
  - 电机驱动电路
  - 电池保护和管理系统
  - 电信设备中的负载开关
  - 工业自动化中的继电器替代方案
  此外,该器件还可用于汽车电子系统的功率管理部分。

替代型号

FDMS410NZ, IRFZ44N, FDP5500

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FDMA410NZ参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C23 毫欧 @ 9.5A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1080pF @ 10V
  • 功率 - 最大900mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装MicroFET 2x2
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDMA410NZTR