时间：2025/4/30 9:44:52
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FDM3300NZ 是一款 N 沱道场效应晶体管（N-Channel MOSFET），主要用于开关和功率管理应用。该器件采用先进的制程工艺，具备低导通电阻和高电流处理能力，适合于需要高效能和低损耗的应用场景。
FDM3300NZ 的封装形式为 SOT23-3L，这种小型封装非常适合空间受限的设计环境。其典型应用包括负载开关、电源管理模块、DC-DC 转换器以及电池保护电路等。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：1.4A
导通电阻：75mΩ
栅极电荷：3.5nC
总电容：36pF
工作温度范围：-55℃ to 150℃
FDM3300NZ 提供了出色的性能表现，尤其是在低导通电阻方面，这有助于减少功率损耗并提高整体效率。此外，它还具有快速开关速度，从而降低开关过程中的能量损失。
这款 MOSFET 的小尺寸封装使其非常适用于移动设备和其他对空间要求严格的电子设备中。同时，其高可靠性和宽泛的工作温度范围也确保了在各种恶劣环境下仍能保持稳定运行。
由于其低 Qg 和低 Crss 特性，FDM3300NZ 在高频应用中表现出色，能够有效减少电磁干扰并提高系统的整体稳定性。
FDM3300NZ 广泛应用于消费类电子产品领域，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑及可穿戴设备中的电源管理单元。
此外，它还常用于以下场景：
- 开关稳压器
- 电池保护电路
- 负载开关
- 电机驱动控制
- 各种便携式设备的功率转换电路
其紧凑的设计与优异的电气性能使得该器件成为现代电子设计的理想选择。
FDMC1801, FDS5963, IRLML6402
