FDM3300 时间：2025/12/29 15:03:17 阅读：12

FDM3300 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的高性能 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率功率转换和开关应用设计，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能。FDM3300 通常用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及电机控制等应用。其封装形式为 8 引脚 SOIC（表面贴装），适合自动化装配和高密度 PCB 设计。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大漏极电流（Id）：5.6A（在 25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：23mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：30mΩ @ Vgs=4.5V
　　栅极电荷（Qg）：11nC
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：8-SOIC

特性

FDM3300 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高整体系统效率。该器件在 10V 栅极驱动电压下，Rds(on) 仅为 23mΩ，而在 4.5V 驱动电压下也能保持较低的 30mΩ，使其适用于低压栅极驱动电路。
　　此外，FDM3300 具有良好的热性能，其封装设计支持有效的热量散发，从而在高电流条件下仍能保持稳定运行。其栅极电荷（Qg）仅为 11nC，意味着其开关速度较快，适用于高频开关应用，从而减少开关损耗。
　　该 MOSFET 支持高达 ±20V 的栅极电压，具有良好的抗过压能力，同时具备出色的雪崩能量耐受能力，提高了器件在极端条件下的可靠性。
　　由于其 8 引脚 SOIC 封装具有较小的占板面积和良好的电气性能，FDM3300 特别适合用于空间受限的高密度 PCB 设计，同时兼容表面贴装工艺，便于自动化生产。

应用

FDM3300 广泛应用于多种功率电子系统中，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。其典型应用包括同步整流的 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机控制电路、电源管理模块以及便携式设备中的电源转换系统。
　　在 DC-DC 转换器中，FDM3300 可作为高侧或低侧开关，利用其低 Rds(on) 和快速开关特性来提升转换效率。在电池管理系统中，它可作为电池充放电控制开关，确保电池组的安全运行。在电机控制中，FDM3300 可用于 H 桥结构，实现电机的正反转控制。
　　此外，该器件也常用于服务器、通信设备、工业自动化系统和消费类电子产品中的电源模块，提供高效的功率开关功能。