您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > FDL100N50F

FDL100N50F 发布时间 时间:2023/12/19 17:59:44 查看 阅读:391

类别:分离式半导体产品

目录

概述

类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:UniFET?
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:55 毫欧 @ 50A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:100A
Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs:238nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :12000pF @ 25V
功率 - 最大:2500W
安装类型:通孔
封装/外壳:DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片)
包装:管件

FDL100N50F推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

FDL100N50F资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

FDL100N50F参数

  • 标准包装25
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列UniFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C100A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C55 毫欧 @ 50A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs238nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds12000pF @ 25V
  • 功率 - 最大2500W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-264-3,TO-264AA
  • 供应商设备封装TO-264
  • 包装管件