类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：80A（最大值）
　　导通电阻（Rds(on)）：约2.8mΩ（典型值，取决于Vgs）
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-247
　　功率耗散（Pd）：200W

FDJ128N-NL 具备多项优异特性，使其适用于高功率和高效率的开关应用。
　　首先，该MOSFET采用了先进的沟槽栅结构技术，有效降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了能效。在满载工作条件下，其低Rds(on)值确保了更小的温升，增强了系统的稳定性与可靠性。
　　其次，FDJ128N-NL 具有较高的电流承载能力，额定漏极电流可达80A，适合用于高功率输出电路。此外，其最大漏源电压为100V，支持多种中高压应用场景。
　　再者，该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常可在10V至20V之间工作，兼容多种驱动电路设计。同时，其热阻较低，具有良好的散热性能，适合高频率开关操作。
　　最后，FDJ128N-NL 还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定运行，提高系统安全性。

FDJ128N-NL 被广泛应用于多个高功率电子系统中。例如，在电源管理系统中，它常用于DC-DC转换器、同步整流器等电路中，以实现高效的能量转换。
　　在工业自动化和电机控制领域，FDJ128N-NL 可作为电机驱动器的功率开关元件，提供快速响应和稳定的电流控制能力。
　　此外，该MOSFET也适用于电池管理系统（BMS）、逆变器和UPS（不间断电源）系统中，用于实现高效的充放电管理和电源切换控制。
　　在新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电模块中，FDJ128N-NL 同样发挥着重要作用，能够承受较大的电流和电压波动，保证系统的稳定运行。

IRF1405, IPW90R120C3, FDMS86180, SiHF120N60E