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PESDHC2FD4V8UMF 发布时间 时间:2025/7/9 11:41:07 查看 阅读:6

PESDHC2FD4V8UMF 是一款高性能的瞬态电压抑制 (TVS) 二极管阵列,主要用于保护电子设备免受静电放电 (ESD) 和其他瞬态电压事件的影响。该器件采用先进的半导体制造工艺,能够提供快速响应时间和低钳位电压特性,确保敏感电路在恶劣环境下的可靠运行。
  这款 TVS 二极管阵列适用于高速数据线和接口电路的保护,如 USB、HDMI、以太网等。其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的设计应用。

参数

工作电压:4V
  击穿电压:5.8V
  最大箝位电压:10V
  峰值脉冲电流:60A
  响应时间:1ps
  结电容:15pF
  漏电流:1uA(最大值,在25℃下)
  封装形式:DFN1006-2

特性

PESDHC2FD4V8UMF 提供了卓越的 ESD 防护能力,能够承受 IEC61000-4-2 标准中定义的±30kV 接触放电和±30kV 空气放电测试。它具有非常低的动态电阻 (<1 欧姆),从而实现对被保护电路的有效电压箝位。
  此外,该器件的超低电容设计最大限度地减少了对信号完整性和传输速率的影响,适合用于高达数 Gbps 的高速数据通信线路。
  其小型化的 DFN1006-2 封装仅占用极少的 PCB 面积,并且与表面贴装技术兼容,简化了大规模生产中的装配过程。

应用

PESDHC2FD4V8UMF 广泛应用于消费类电子产品、通信设备及工业控制领域中的 ESD 防护。
  典型应用场景包括但不限于:
  - USB 2.0/3.0 数据端口防护
  - HDMI 和 DisplayPort 视频接口保护
  - 高速以太网 PHY 收发器线路防护
  - 移动设备射频前端防护
  - 工业总线和传感器连接线保护

替代型号

PESD2CANB4V8, PESD2R1B4V8, SMAJ4.0A

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