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FDI33N25TU 发布时间 时间：2023/12/19 18:01:20 查看 阅读：288

类别：分离式半导体产品

目录

概述

类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：UniFET?
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：94 毫欧 @ 16.5A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：33A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：48nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：2135pF @ 25V
功率 - 最大：235W
安装类型：通孔
封装/外壳：I2Pak, TO-262 (3 直引线 + 接片)
包装：管件

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FDI33N25TU参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列UniFET™
  • FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)250V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C33A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C94 毫欧 @ 16.5A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs48nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2135pF @ 25V
  • 功率 - 最大235W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
  • 供应商设备封装I2PAK
  • 包装管件

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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