时间：2025/8/24 11:41:49
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FDH666是一款由富鼎先进（Fairchild Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高效率电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统中。该器件采用先进的平面技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高功率密度，适用于高频开关应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：5A
最大功耗(Pd)：1.4W
导通电阻(Rds(on))：33mΩ @ Vgs=10V
导通电阻(Rds(on))：45mΩ @ Vgs=4.5V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：SOT-223
FDH666 MOSFET采用了先进的平面沟槽栅技术，具有较低的导通电阻，从而减少了导通状态下的功率损耗。该器件在4.5V的栅极驱动电压下仍能保持良好的导通性能，使其适用于由电池供电的低压系统。FDH666的SOT-223封装形式不仅节省空间，还具备良好的散热性能，适合在紧凑型PCB设计中使用。
此外，FDH666具有快速开关能力，降低了开关损耗，有助于提高整体系统效率。其栅极电荷（Qg）较低，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和同步整流器。该器件还具备良好的热稳定性和过载能力，能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。
FDH666广泛应用于各种电源管理系统，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流、负载开关、电池充电管理电路以及电机驱动控制电路。由于其良好的导通特性和封装优势，该MOSFET在便携式电子产品、工业自动化设备、通信设备以及汽车电子系统中均有广泛应用。
FDH666N, FDH666NZ, FDH666N-D323, FDMC6660, SiSS666DN
