时间：2025/12/29 15:06:09
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FDH50N50_F133 是一款由富昌电子（Fujian Microelectronics Co., Ltd）生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高功率和高效率的应用场景，例如电源转换器、电机驱动器和开关电源等。该器件采用TO-247封装形式，具备良好的散热性能和高可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：50A
漏源电压（Vds）：500V
栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：≤0.133Ω
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-247
功率耗散（Pd）：180W
FDH50N50_F133 MOSFET具备多项优秀特性，使其适用于多种高功率应用场景。首先，该器件的高耐压特性（Vds为500V）允许其在高压电路中使用，例如开关电源和DC-DC转换器。其次，其低导通电阻（Rds(on) ≤ 0.133Ω）能够显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET支持高达50A的漏极电流，适合需要大电流驱动的应用，如电机控制和工业电源。
在封装方面，TO-247封装提供了良好的散热性能，确保器件在高负载下仍能保持稳定运行。FDH50N50_F133的工作温度范围为-55°C至150°C，具备较强的环境适应能力，适用于严苛的工作条件。其栅源电压范围为±20V，提供了较大的驱动灵活性，同时具备良好的抗过压能力。此外，该器件的快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统效率，适用于高频开关应用。
FDH50N50_F133 MOSFET广泛应用于多个领域。在电源领域，它可用于开关电源（SMPS）、AC-DC和DC-DC转换器，提供高效能的功率转换。在电机控制方面，该器件可用于电机驱动电路，提供稳定的电流输出并减少功率损耗。此外，FDH50N50_F133还可用于逆变器、UPS（不间断电源）、工业自动化设备以及太阳能逆变系统等高功率应用场景。
由于其高耐压和低导通电阻特性，该MOSFET也适用于高效率的功率因数校正（PFC）电路，以提升电源系统的整体能效。在消费类电子产品中，FDH50N50_F133可用于高性能电源管理模块，如笔记本电脑电源适配器和高功率LED驱动器。此外，在汽车电子领域，该器件也可用于车载充电器、电动工具和电池管理系统等应用。
STP55NF06, IRF540N, FQA50N50, FDH50N50
