CR21182JT是一款由Central Semiconductor公司生产的双极性晶体管(BJT),主要用于高频放大和开关应用。这款晶体管具有高性能和稳定性,适用于各种电子设备和电路设计。
类型:NPN晶体管
最大集电极-发射极电压(Vce):30V
最大集电极电流(Ic):100mA
最大功耗(Pd):300mW
频率(fT):250MHz
电流增益(hFE):110-800(取决于电流)
封装类型:TO-92
CR21182JT晶体管具有优异的高频性能,适用于射频(RF)和中间频率(IF)放大器设计。该晶体管的电流增益范围较宽,能够适应不同的工作条件,确保电路的稳定性。其低噪声特性使其在信号放大应用中表现出色。此外,CR21182JT的封装设计便于安装和散热,适用于多种电路板布局。由于其高可靠性和耐用性,该晶体管常用于消费电子、工业控制和通信设备中。
CR21182JT晶体管广泛应用于高频放大器、射频模块、音频放大器和开关电路中。它也常用于无线通信设备、传感器电路和电源管理模块。在消费电子产品中,如收音机、音频设备和遥控器中也有广泛应用。
2N3904, BC547, PN2222