类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：55A
　　最大漏-源电压（VDS）：150V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约30mΩ（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：80nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

FDH055N15AE具有多项优良的电气和物理特性，使其在高功率和高频率应用中表现出色。其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该MOSFET的最大漏-源电压为150V，支持在高压环境中稳定运行，并具有良好的抗雪崩击穿能力。
　　此外，FDH055N15AE的封装形式为TO-263（D2PAK），具备良好的热管理和散热性能，适用于需要高功率密度的设计。其栅极驱动电压范围宽（±20V），兼容多种驱动电路设计，确保稳定性和灵活性。
　　该器件的工作温度范围为-55°C至+175°C，适应恶劣的环境条件，适用于工业级和汽车电子应用。FDH055N15AE还具有快速开关特性，减少开关损耗，提高系统响应速度。其高可靠性设计确保在长时间运行中保持稳定性能，适合用于对可靠性要求较高的应用场景。

FDH055N15AE主要应用于各种电力电子设备和系统中，包括DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、电源管理模块、负载开关、电机驱动、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备、新能源汽车充电模块以及储能系统等。
　　在DC-DC转换器中，FDH055N15AE可作为主开关器件，提供高效率和低损耗的功率转换。在负载开关电路中，它可实现对负载的精确控制，防止过流和短路损坏系统。在电机驱动应用中，该MOSFET能够承受较高的电流和电压冲击，确保电机稳定运行。
　　由于其高耐压和高可靠性的特点，FDH055N15AE也广泛用于新能源汽车中的电池管理系统（BMS）中，用于实现对电池组的充放电控制和保护。此外，在工业控制和自动化设备中，该器件可用于高频率开关和功率调节，提升系统整体性能。

SiHF55N150E, FQA55N150, FDPF55N150