类型：双N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：最大4.1A
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：在VGS=4.5V时，最大为23mΩ；在VGS=2.5V时，最大为35mΩ
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TSOP（6引脚）

FDG8842CZ_NL采用先进的Trench沟槽MOSFET技术，这使其在保持高效率的同时具备更低的导通电阻。这种低导通电阻特性对于提高电源转换效率至关重要，特别是在高电流应用中。该器件还具有较高的栅极耐压能力，允许在较宽的控制电压范围内工作，适用于多种控制电路。此外，该MOSFET的封装尺寸小巧，适合空间受限的设计，同时具有较高的热稳定性，确保在高温环境下依然可靠运行。
　　其双通道结构提供了更高的集成度，减少了外部元件数量，提高了系统的可靠性。此外，FDG8842CZ_NL具备快速开关特性，有助于减少开关损耗并提高系统效率，适用于高频操作环境。该器件还具有良好的抗过载和短路能力，增强了整体系统的稳定性。

FDG8842CZ_NL常用于各种便携式电子设备和电源管理系统，例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和智能穿戴设备等。在这些设备中，它常用于DC-DC转换器、电池充电管理、负载开关和LED驱动电路等应用。此外，该器件也可用于工业控制系统、电机驱动器以及各类电源模块，提供高效、可靠的功率控制。由于其双通道结构和低导通电阻特性，FDG8842CZ_NL也适用于需要高效能管理的电源分配系统，例如服务器和通信设备中的电源管理。

FDG8842CZ, FDG8842CZ-F