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ISC3535VGBC1MBA2 发布时间 时间:2025/8/7 11:25:30 查看 阅读:24

ISC3535VGBC1MBA2是一款由Integrated Silicon Solution(ISSI)制造的高性能、低功耗的异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片具有高速访问时间,适用于需要快速数据存取的应用场景。ISC3535VGBC1MBA2采用了先进的CMOS技术,以确保在各种工作条件下都能保持稳定和可靠的性能。

参数

容量:512K x 8/256K x 16
  电源电压:2.3V至3.6V
  访问时间:10ns
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装类型:54-TSOP
  最大工作频率:100MHz
  数据保持电压:1.5V

特性

ISC3535VGBC1MBA2是一种高速SRAM芯片,具备低功耗的特点,非常适合用于嵌入式系统、工业控制、通信设备等对性能和可靠性要求较高的应用。该芯片支持异步操作,使其能够灵活适应不同的系统设计需求。
  该芯片的高速访问时间(10ns)使其能够在高频环境下提供稳定的数据存取性能,同时具备宽电压工作范围(2.3V至3.6V),使其适用于多种电源设计场景。此外,ISC3535VGBC1MBA2还支持数据保持模式,可以在低至1.5V的电压下维持数据完整性,有助于在电源中断或低功耗模式下保护关键数据。
  在封装方面,ISC3535VGBC1MBA2采用54引脚TSOP封装,具有良好的热性能和机械稳定性,适合在高密度PCB设计中使用。其工作温度范围为-40°C至+85°C,确保在各种环境条件下都能可靠运行。

应用

ISC3535VGBC1MBA2广泛应用于各种需要高速数据存储的电子设备中,包括但不限于网络设备、工业自动化控制系统、测试与测量仪器、嵌入式系统以及消费类电子产品。其低功耗和高可靠性的特性使其成为需要长时间稳定运行的系统中的理想选择。

替代型号

IS61LV5128ALB4A、CY62148EVLL、IDT71V416SA、ISSI IS31FL3741、ISSI IS66WV1008EBLL