时间：2025/6/21 18:06:00
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FDG6331L 是一款高性能的 P 沯道增强型 MOSFET 场效应晶体管。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于电源管理、负载开关以及 DC-DC 转换器等应用。其出色的电气性能使其成为众多设计中的理想选择。
FDG6331L 的封装形式通常为 SOT-23，这种小型化封装有助于节省电路板空间，同时具备良好的散热性能。
最大漏源电压：-50V
连续漏极电流：-1.8A
导通电阻（Rds(on)）：140mΩ（典型值，在 Vgs=-4.5V 时）
栅极-源极电压：±8V
总功耗：320mW
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-23
1. 极低的导通电阻确保了更高的效率和更低的功耗。
2. 高速开关能力使得 FDG6331L 适用于高频电路环境。
3. 小型化的 SOT-23 封装节省 PCB 空间并简化布局设计。
4. 宽工作温度范围增强了器件在恶劣环境下的可靠性。
5. 提供优异的静电防护能力以保护电路免受损坏。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
1. 手机和平板电脑中的负载开关
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