时间：2025/8/24 13:18:31
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FDG6326P 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）推出的双通道 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，广泛用于电源管理和开关应用。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特性，适合在需要高效能和低功耗的电子系统中使用。FDG6326P 通常被用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统和电机控制电路等应用中。
类型：MOSFET
沟道类型：N 沟道
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±8V
漏极电流（Id）：4.3A（连续）
导通电阻（Rds(on)）：32mΩ @ Vgs=4.5V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TDFN（3x3）
FDG6326P 具备多项高性能特性，首先是其双通道设计，可以在单一封装中提供两个独立的 N 沟道 MOSFET，从而节省 PCB 空间并提高系统的集成度。该器件采用了先进的沟槽式技术，使得导通电阻非常低，从而降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。其低 Rds(on) 值（32mΩ）确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗。
此外，FDG6326P 的栅极驱动电压范围为 ±8V，具有良好的栅极氧化层稳定性，避免因过高的电压而导致损坏。该器件的漏极电流能力为 4.3A，适用于中等功率级别的开关应用。其工作温度范围宽广，从 -55°C 到 150°C，能够在恶劣的环境条件下稳定运行，适合工业级和汽车电子应用。
封装方面，FDG6326P 采用 TDFN（3x3）封装，体积小巧，便于在高密度 PCB 设计中使用。该封装具备良好的热性能，有助于快速散热，提高器件在高负载条件下的可靠性。
FDG6326P 主要应用于电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制电路以及各类便携式电子产品中。由于其高效率和小尺寸封装的特点，该器件特别适合用于需要高集成度和高效能的嵌入式系统和移动设备。在汽车电子系统中，FDG6326P 可用于车身控制模块、电动助力转向系统和车载充电器等应用。此外，该器件也可用于工业自动化控制系统、电源适配器和 LED 驱动电路等场景。
Si2302DS, FDG6332L, AO3400A, BSS138K
