时间：2025/5/16 14:04:30
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FDFS2P753Z 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，专为高效率和高频率开关应用而设计。该器件采用先进的制程技术制造，具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度的特点，适用于各类电源管理和电机驱动场景。
其封装形式通常为 TO-220 或 DPAK，具体取决于制造商的工艺标准。FDFS2P753Z 在消费电子、工业设备及汽车电子等领域中得到了广泛应用。
最大漏源电压：75V
连续漏极电流：30A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：45nC
开关时间：ton=19ns, toff=28ns
工作结温范围：-55℃ 至 175℃
FDFS2P753Z 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，能够有效减少传导损耗，提升系统效率。
2. 快速的开关性能，支持高频工作条件下的高效运行。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的耐受性。
4. 内置反向二极管功能，简化电路设计并提供额外保护。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代工业要求。
FDFS2P753Z 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 直流-直流转换器（DC-DC Converter），如降压或升压电路。
3. 电机驱动器，用于控制无刷直流电机或其他类型的电机。
4. 电池管理系统（BMS），用于充放电路径管理。
5. 各类负载切换和保护电路，例如过流保护或短路保护。
FDS6670A, IRFZ44N, STP30NF06L
