时间：2025/5/16 14:02:32
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FDD84453LZ 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的制造工艺设计，适用于需要高效能和低导通电阻的应用场景。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够在高频开关应用中提供出色的性能。
这款 MOSFET 主要用于消费类电子产品、工业设备以及通信系统中的电源管理领域，适合要求高效率和高可靠性的电路设计。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：17A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷：39nC
开关时间：ton=11ns, toff=18ns
结温范围：-55℃至175℃
FDD84453LZ 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低功耗并提高整体效率。
2. 高速开关能力，支持高频操作，适用于开关电源和电机驱动等应用。
3. 具备强大的电流承载能力，可满足大电流负载的需求。
4. 内置反向二极管，有助于减少电路复杂性并提升能量回收效率。
5. 工作温度范围宽广，适应各种严苛环境下的工作需求。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子产品的绿色设计需求。
FDD84453LZ 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），如 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 各类电机驱动控制电路，例如家用电器中的风扇、泵浦等。
3. 电池管理系统（BMS），特别是电动汽车和储能设备中的电池保护与充放电控制。
4. 通信设备中的负载开关和信号切换。
5. 工业自动化设备中的电源管理和信号处理模块。
FDP5570N, IRF540N, STP17NF06L
