时间：2025/8/25 1:33:39
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FDD76AN06是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）推出的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于各种功率管理和电源转换应用中。该器件采用先进的工艺制造，具有高效率、低导通电阻和良好的热性能。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：80A
导通电阻（Rds(on)）：0.016Ω（典型值）
功耗（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
FDD76AN06 MOSFET具有极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少功率损耗并提高系统效率。其高电流处理能力使其非常适合用于大功率应用，例如DC-DC转换器、电机控制和电源管理系统。此外，该器件具有良好的热性能，能够在高温环境下稳定工作。
FDD76AN06采用TO-263表面贴装封装，具有优异的散热性能，适合高密度PCB设计。该封装还支持自动贴片工艺，便于大批量生产。该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，可在4.5V至20V之间工作，使其兼容多种控制电路。
该器件的可靠性高，符合RoHS环保标准，并具有较高的耐用性和稳定性，适用于工业级和汽车电子应用。
FDD76AN06广泛应用于多种电力电子系统，如同步整流器、高效率电源转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、太阳能逆变器以及汽车电子系统（如电动助力转向系统EPS和车载充电器OBC）。此外，它也可用于工业自动化设备中的电源管理和负载控制。
FDD86100S, FDS6680, IRF1405, SiR882DP
