时间：2025/7/9 3:10:15
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FDD6796是一种N沟道增强型MOSFET功率场效应晶体管，主要用于需要高效开关和低导通损耗的应用场景。该器件采用TO-220封装形式，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适合用于电源管理、电机驱动、负载开关以及DC-DC转换器等应用领域。
由于其出色的电气性能，FDD6796被广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域。这种MOSFET在高频开关应用中表现出优异的性能，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：48A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：85nC
开关时间：ton=12ns, toff=26ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
FDD6796采用了先进的半导体制造工艺，具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（3.5mΩ），有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高电流承载能力（48A），使其适用于大功率应用场合。
3. 快速开关速度，有助于降低开关损耗并在高频条件下表现更佳。
4. 较高的工作温度范围（-55℃至+175℃），增强了器件的环境适应性。
5. 可靠的ESD保护设计，提高了器件的抗静电能力。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
FDD6796因其高性能和高可靠性，主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和AC-DC适配器中的主开关管。
2. 电机驱动电路中的功率级元件。
3. 各种负载开关应用，例如电池供电设备中的电源管理。
4. DC-DC转换器中的同步整流管。
5. 汽车电子中的功率控制模块，如启动停止系统、电动助力转向等。
6. 工业自动化设备中的功率切换和控制功能。
FDD6796凭借其卓越的性能，在需要高效功率转换和控制的场合中表现出色。
FDP5500
IRFZ44N
STP40NF06L
