时间：2025/9/3 22:39:05
阅读：8
FDD6778A 是一款由 Fairchild（飞兆半导体，现为安森美半导体的一部分）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理和功率转换应用。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热稳定性，适用于如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电源管理系统等场景。FDD6778A 采用先进的 PowerTrench? 技术制造，优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡，从而提高整体系统效率。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：120A（在 Vgs=10V 时）
导通电阻(Rds(on))：5.3mΩ（最大值，典型值 4.2mΩ）
封装形式：D2PAK
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
功率耗散(Pd)：200W
输入电容(Ciss)：约 2900pF
开启阈值电压(Vgs(th))：2.0V 至 4.0V
FDD6778A 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得在大电流应用中能够显著降低功率损耗，提高整体效率。
此外，该器件采用先进的 PowerTrench? 工艺技术，优化了沟道结构，降低了导通电阻并提高了开关性能。
FDD6778A 具有高电流承载能力，能够在高负载条件下稳定工作，适用于诸如同步整流、DC-DC 转换器以及电机控制等应用。
其高耐压能力和宽工作温度范围使其能够在恶劣的工业环境中可靠运行。
该 MOSFET 还具备良好的热稳定性，能够在高温下保持稳定的电气性能，减少了对散热器或冷却系统的依赖。
此外，FDD6778A 的封装形式为 D2PAK，具有良好的热管理和焊接可靠性，适用于表面贴装工艺，便于自动化生产和高密度 PCB 布局。
综合来看，FDD6778A 是一款高性能、高可靠性的功率 MOSFET，广泛适用于各类高功率和高效率的电子系统。
FDD6778A 主要应用于需要高效功率转换和管理的电子设备中，包括但不限于同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制、电源适配器、服务器电源、电信设备电源以及工业控制系统。
由于其低导通电阻和高电流承载能力，该器件特别适合用于高效率的电源模块设计，如 POL（Point of Load）转换器和多相供电系统。
在汽车电子领域，FDD6778A 可用于车载电源管理、电动助力转向系统（EPS）和车载充电器（OBC）等应用。
其高可靠性和耐高温特性也使其成为工业自动化和电机驱动系统中的理想选择。
此外，FDD6778A 还适用于需要快速开关和低损耗的高频电源转换器，如谐振变换器和 LLC 转换器等拓扑结构。
FDMS7680、SiR144DP、IRF1404Z、FDD6779A
