SFC-135-T2-F-D-K-TR 是一款表面贴装封装的场效应晶体管(FET),属于功率半导体器件系列,专为高频开关和功率转换应用设计。该器件采用先进的工艺技术制造,具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性,适用于多种工业及消费类电子领域。
型号:SFC-135-T2-F-D-K-TR
类型:N沟道增强型MOSFET
封装形式:TO-263(D2PAK)
最大漏源电压(Vds):135V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):30A
导通电阻(Rds(on)):1.8mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
总功耗(Ptot):140W
工作温度范围(Tj):-55℃至+175℃
栅极电荷(Qg):65nC(典型值)
反向恢复时间(trr):85ns(典型值)
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗,提升效率。
2. 快速开关特性,适合高频应用场合。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 热性能优越,可承受较高的结温。
5. 符合RoHS标准,环保且支持无铅焊接工艺。
6. 内置防静电保护机制,提升了器件的可靠性和使用寿命。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. DC-DC转换器中的同步整流管。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 逆变器和太阳能逆变系统的功率级元件。
5. 工业控制和汽车电子中的负载开关。
6. 各类高频功率变换模块中的关键组件。
SFC-135-T2-F-D-K-WR, SFC-150-T2-F-D-K-TR, IRFZ44N