时间：2025/5/8 9:39:26
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FDD6690A 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252 封装形式。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用中，其低导通电阻和高切换速度特性使其成为高效的功率转换解决方案。
该 MOSFET 的设计目标是提供卓越的性能，同时保持成本效益，适用于多种消费类电子设备和工业控制场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻（典型值）：130mΩ
栅极电荷：12nC
开关速度：快速
封装类型：TO-252
FDD6690A 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，在 Vgs=10V 时仅为 130mΩ，这有助于降低传导损耗并提高整体效率。
2. 快速的开关性能，得益于其较低的栅极电荷（Qg），可以减少开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常工作条件下的鲁棒性。
4. 符合 RoHS 标准，满足环保要求。
5. 优化的热性能，确保长时间稳定运行。
6. 小型封装（TO-252），节省 PCB 空间。
FDD6690A 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），包括适配器和充电器。
2. DC-DC 转换器中的同步整流。
3. 各种电机驱动电路。
4. 电池保护电路。
5. 负载开关和保护开关。
6. 工业自动化及家电中的功率控制模块。
FDS6690A, FDN6690A
