时间：2025/5/7 10:08:55
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FDD6688是一款N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），主要用于开关和功率放大应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适合在高效率电源转换、电机驱动以及负载开关等场景中使用。
这款MOSFET以其出色的性能和可靠性著称，在设计上注重降低功耗并提升系统效率。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：32A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：74nC
总电容（输入电容）：2290pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
FDD6688具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗。
2. 高额定电流，能够支持大功率应用。
3. 快速开关速度，优化了动态性能。
4. 良好的热稳定性，适应宽广的工作温度范围。
5. 符合RoHS标准，环保且可靠。
这些特点使得FDD6688成为众多工业及消费类电子产品的理想选择。
FDD6688广泛应用于各种需要高效能功率控制的领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. 电动工具中的电机驱动
3. 工业自动化设备中的负载切换
4. 电信系统中的DC/DC转换
5. 新能源汽车中的电池管理系统（BMS）
由于其卓越的电气性能和可靠性，FDD6688在上述应用中表现出色。
FDP6688
FDS6688
