FDD6296_NL 时间：2025/8/25 6:45:33 阅读：20

FDD6296_NL 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换和开关应用。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流能力和快速开关特性，适用于各种电源管理系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：100A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：30V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值 3.7mΩ（典型值 2.8mΩ）
　　功耗（PD）：250W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C

特性

FDD6296_NL 的核心优势在于其卓越的导通性能和快速的开关响应能力。其低导通电阻特性可以显著降低功率损耗，提高系统效率。此外，该 MOSFET 具有高电流处理能力，能够在高负载条件下保持稳定运行。该器件采用先进的封装技术，提供良好的散热性能，确保在高功率应用中不会因温度过高而失效。
　　另一个重要特性是其宽栅极电压范围（±20V），使其适用于多种栅极驱动电路设计。同时，该器件的工作温度范围较宽（-55°C 至 175°C），适用于严苛环境下的应用，如工业控制和汽车电子系统。
　　此外，FDD6296_NL 还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，可在突发负载或短路情况下提供更高的可靠性。

应用

FDD6296_NL 常用于 DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制、电池管理系统、电源管理模块以及各种高功率开关电路。由于其优异的导通性能和高电流能力，该器件也广泛应用于服务器电源、电动工具、电动车和工业自动化设备中。
　　在汽车电子领域，FDD6296_NL 可用于车载逆变器、电瓶管理系统和电机驱动器等应用。其宽工作温度范围和高可靠性使其成为汽车和工业市场中的首选功率 MOSFET。
　　此外，该器件还适用于高频率开关应用，如谐振变换器和软开关电路，能够有效提升系统的整体效率和稳定性。