FDD60N03L 时间：2025/8/25 7:08:17 阅读：6

FDD60N03L 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET晶体管，广泛用于电源管理和功率开关应用中。该器件采用先进的沟槽技术，能够在高效率和低导通电阻方面表现出色。其封装形式为DPAK（TO-252），适用于表面贴装，便于散热。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：60A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值1.8mΩ（在Vgs=10V时）
　　功耗(Pd)：125W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：DPAK（TO-252）

特性

FDD60N03L 采用先进的PowerTrench?技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体效率。
　　该MOSFET具有高电流承载能力，支持高达60A的连续漏极电流，适用于高功率密度设计。
　　其低导通电阻和快速开关特性使其在DC-DC转换器、负载开关和电机控制等高频应用中表现优异。
　　此外，FDD60N03L的封装设计提供了良好的散热性能，有助于在高负载条件下维持稳定工作温度。
　　该器件符合RoHS标准，适用于环保设计要求。

应用

FDD60N03L 常用于各类电源管理系统，包括同步整流器、DC-DC转换器以及电池供电设备中的功率开关。
　　它适用于服务器和电信设备的电源模块，用于高效能、低电压大电流输出的场合。
　　在电机控制和驱动电路中，FDD60N03L 可作为高边或低边开关，提供高效的功率切换。
　　此外，该MOSFET还可用于LED照明驱动器、负载开关控制以及电源管理单元中的主开关器件。