时间：2025/5/22 8:30:32
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FDD5614P 是一款 N 沃特 (Nexperia) 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高效率和良好的热性能，能够满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。
其封装形式为 PDFN33-3L，是一种超紧凑型无引脚封装，非常适合空间受限的应用场景。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻（典型值）：9mΩ
栅极电荷（典型值）：3nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃至+150℃
FDD5614P 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用环境。
3. 小尺寸 PDFN33-3L 封装，节省 PCB 空间。
4. 高浪涌能力，可承受瞬时大电流冲击。
5. 优异的热稳定性和可靠性，确保在恶劣环境下正常工作。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于焊接。
FDD5614P 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的主开关或同步整流管。
3. 各种消费类电子产品中的负载开关。
4. 便携式设备中的电池管理电路。
5. 小型电机驱动和控制电路。
6. 保护电路，例如过流保护和短路保护。
FDD6676P
FDMC880
IRLML6402
