时间：2025/5/12 14:06:58
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FDD3N50NZTM 是一款由 Fairchild（现已被 ON Semiconductor 收购）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TO-220 封装，适用于多种高功率应用场合。FDD3N50NZTM 的主要特点是其低导通电阻和高开关速度，使其成为电源转换、电机控制和 DC-DC 转换器等应用的理想选择。
FDD3N50NZTM 的最大工作电压为 500V，能够承受较高的漏源极电压，同时具备良好的热性能和电气性能。
最大漏源极电压：500V
最大漏极电流：1.6A（在脉冲条件下可达 4.8A）
导通电阻：2.7Ω（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：9nC（典型值）
开关时间：开启延迟时间 35ns，下降时间 20ns
封装形式：TO-220
FDD3N50NZTM 具备以下显著特性：
1. 高电压处理能力，适合需要高压操作的工业应用。
2. 极低的导通电阻，减少了导通损耗并提高了效率。
3. 快速开关性能，有助于减少开关损耗，尤其在高频应用中表现优异。
4. 优秀的热稳定性，确保在长时间运行下的可靠性和散热性。
5. 小型化的 TO-220 封装设计，便于集成到各种电路板中。
FDD3N50NZTM 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 工业自动化设备中的功率管理模块。
4. 电池充电器和逆变器。
5. 各类需要高效功率切换的电子设备中。
FDP3N50Z, IRF540N, STP3NC50E
