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FDD2570 发布时间 时间:2025/5/8 15:55:59 查看 阅读:24

FDD2570是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,适合高效率和高频率的应用场景。
  该MOSFET能够在较高的电压和电流条件下运行,同时保持较低的功耗,非常适合用于需要高性能功率管理的电子设备中。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:48A
  导通电阻(典型值):3.5mΩ
  栅极电荷:110nC
  反向恢复时间:10ns
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

FDD2570具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,能够显著降低功率损耗,提高整体效率。
  2. 快速开关性能,支持高频应用,减少电磁干扰和热量积累。
  3. 高电流承载能力,适用于大功率电路。
  4. 热稳定性强,能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且兼容现代设计需求。
  6. 小型封装选项,有助于节省PCB空间并简化设计布局。

应用

FDD2570适用于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
  2. DC-DC转换器中的功率开关,用于提升转换效率。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 电池管理系统中的负载开关或保护开关。
  5. LED驱动器中的电流调节元件。
  6. 各类工业及消费电子产品的功率管理模块。

替代型号

FDP5500
  FDS6690
  IRF3205
  AON6708

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FDD2570参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C80 毫欧 @ 4.7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs62nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1907pF @ 75V
  • 功率 - 最大1.3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)