时间：2025/5/29 3:46:49
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MP40N20是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件适用于高电压和中等电流应用场合，能够提供高效的开关性能和较低的导通电阻。其主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及负载开关等领域。
该功率MOSFds(on)），从而减少了功率损耗，提高了整体效率。同时，其快速开关特性使得它非常适合高频应用环境。
最大漏源电压：200V
最大栅源电压：±20V
漏极电流（连续）：4A
脉冲漏极电流：16A
导通电阻（典型值）：1.2Ω
总功耗：80W
结温范围：-55℃ to 175℃
1. 高击穿电压，可承受高达200V的最大漏源电压。
2. 具有较低的导通电阻（Rds(on)），在典型工作条件下为1.2Ω，从而减少导通时的功率损耗。
3. 提供良好的开关性能，适合高频应用。
4. 栅极电荷较小，有助于提高开关速度。
5. 采用标准TO-220封装，便于散热和安装。
6. 工作温度范围宽广，能够适应恶劣的工作环境。
7. 符合RoHS标准，绿色环保。
1. 开关电源中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
3. 各类电机驱动电路中的功率输出级。
4. 负载开关，在各类便携式电子设备中实现快速切断功能。
5. 过流保护电路中的关键元器件。
6. 继电器替代方案，用于需要频繁开关的应用场景。
IRFZ44N
STP40NF06
FDP55N06L
