时间：2025/5/12 13:27:14
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FDD14AN06LA0 是一款 N 沯道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），由 Fairchild Semiconductor（现为 ON Semiconductor）生产。该器件采用 LFPAK8L 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种高效能开关应用，如 DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等。其优化的性能使得它在功率转换领域表现优异。
型号：FDD14AN06LA0
类型：N 沯道增强型 MOSFET
Vds（漏源电压）：60V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：4.5mΩ
Id（连续漏极电流）：43A
Vgs(th)（栅极阈值电压）：2.5V
Qg（总栅极电荷）：39nC
EAS（雪崩能量）：357mJ
Tj（结温范围）：-55°C 至 +175°C
封装：LFPAK8L
FDD14AN06LA0 具有非常低的导通电阻 Rds(on)，能够显著减少传导损耗，从而提高整体效率。
其 LFPAK8L 封装提供卓越的散热性能，并且支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产。
该器件还具备快速开关能力，有助于降低开关损耗，适合高频应用。
由于其高雪崩能量等级，FDD14AN06LA0 在面对异常情况时表现出良好的稳健性。
另外，其宽广的工作温度范围确保了在极端环境下的可靠性。
这款 MOSFET 广泛应用于需要高性能功率开关的场景中，例如：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 电机驱动与控制
3. DC-DC 转换器
4. 负载开关
5. 电池管理系统（BMS）
6. 工业设备中的功率管理模块
FDD14AN06LA0 的高效性能和紧凑设计使其成为许多现代电子产品的理想选择。
FDMF14AN06L, FDMS14AN06L
