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FDD13AN06A0_F085 发布时间 时间:2025/8/25 7:41:19 查看 阅读:6

FDD13AN06A0_F085是一款由富士电机(Fuji Electric)生产的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛用于高功率应用。该模块设计用于高效能的电力电子转换系统,如逆变器、电机驱动和可再生能源系统。

参数

类型:IGBT模块
  最大集电极-发射极电压(VCES):600V
  额定集电极电流(IC):13A
  最大工作温度:150°C
  封装类型:双列直插式(DIP)
  短路耐受能力:有
  热阻(Rth):具体数值需参考数据手册
  导通压降(VCE_sat):典型值约2.1V

特性

FDD13AN06A0_F085模块具备低导通压降和低开关损耗的特点,这使得它在高频率开关应用中表现出色。其内置的二极管提供了反向电流保护,增强了系统的可靠性。模块的设计确保了良好的热管理和机械稳定性,适用于严苛的工作环境。此外,该模块的封装形式便于安装和散热器连接,简化了系统设计。
  在可靠性方面,FDD13AN06A0_F085通过了严格的质量测试,确保其在长期运行中的稳定性和耐用性。其短路耐受能力使得模块在异常工作条件下也能保持安全运行,减少了系统故障的风险。
  电气特性方面,该模块的IGBT器件具有快速开关能力,能够在高频率下运行,减少能量损耗并提高系统效率。其内置的二极管具有快速恢复特性,进一步提高了模块的性能和效率。
  热管理方面,模块的设计考虑了散热需求,确保在高功率运行时能够有效散热,延长使用寿命并提高系统稳定性。

应用

FDD13AN06A0_F085常用于工业电机驱动、电动汽车充电系统、太阳能逆变器以及各种高功率电源转换设备。其高效能和可靠性使其成为电力电子系统设计中的理想选择。

替代型号

FDD13AN06A0_F085的替代型号包括FDD13AN06A0(同一产品不同批次或封装)以及类似规格的其他IGBT模块,如FGA13N60SMD或SGW13N60WD。

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FDD13AN06A0_F085参数

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压60 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流50 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.0135 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TO-252AA
  • 封装Reel
  • 下降时间25 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散115 W
  • 上升时间77 ns
  • 工厂包装数量2500
  • 典型关闭延迟时间26 ns