时间：2025/7/10 1:38:47
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FDD10N20LZ 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。该器件采用先进的制造工艺，具有出色的电气性能和可靠性，广泛应用于电源管理、电机驱动和其他需要高性能开关的场合。
这款 MOSFET 的额定电压为 200V，能够承受较高的漏源电压，同时其导通电阻较低，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：10A
导通电阻（典型值）：270mΩ
栅极电荷（典型值）：13nC
输入电容（典型值）：540pF
开关速度：快速
封装形式：TO-220
FDD10N20LZ 具有以下主要特性：
1. 高耐压能力：其漏源电压达到 200V，适合高压环境下的应用。
2. 低导通电阻：在高电流工作条件下，低 Rds(on) 可显著降低功耗，提升效率。
3. 快速开关性能：较小的栅极电荷和输入电容使得该器件具备快速开关能力，适合高频应用。
4. 热稳定性好：能够在高温环境下长期稳定运行。
5. 封装坚固：采用 TO-220 封装，便于散热和安装，适合多种电路设计需求。
FDD10N20LZ 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：
- 用于 AC/DC 转换器和 DC/DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动：
- 在无刷直流电机（BLDC）和其他电机控制系统中作为功率级元件。
3. 工业电子设备：
- 如工业控制器、逆变器和不间断电源（UPS）。
4. 消费类电子产品：
- 包括家用电器、充电器和 LED 驱动器等。
5. 通信设备：
- 用于电信基站和网络设备中的电源模块。
FDP10N20, IRF540N, STP10NK06Z
