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FDD10A06 发布时间 时间:2025/8/24 23:20:19 查看 阅读:20

FDD10A06是一款由富士电机(Fuji Electric)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率功率转换应用设计。该器件采用先进的硅技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力,适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和逆变器等高频功率应用。FDD10A06属于N沟道增强型MOSFET,具备良好的热稳定性和快速开关特性,能够在高温环境下稳定运行。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):10A(在Tc=25℃)
  导通电阻(Rds(on)):最大60mΩ(在Vgs=10V时)
  最大功耗(Pd):2.5W
  工作温度范围:-55℃~+175℃
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

FDD10A06 MOSFET采用先进的沟槽栅极技术和硅工艺,实现了极低的导通电阻(Rds(on)),从而降低了导通损耗,提高了系统效率。该器件的快速开关能力使其适用于高频开关应用,有助于减小外围元件的尺寸并提升功率密度。
  此外,FDD10A06具有良好的热稳定性和较高的雪崩能量承受能力,能够在高应力工作条件下保持可靠性。其栅极驱动电压范围较宽(通常为10V~20V),适用于多种类型的驱动电路设计。
  该MOSFET采用TO-252(DPAK)封装,具有良好的散热性能,便于在PCB上安装和散热管理。该封装形式广泛用于工业电源、汽车电子和消费类电子设备中。
  由于其高可靠性和性能表现,FDD10A06非常适合用于电源管理、马达驱动、电池充电器、逆变器、同步整流器以及各种DC-DC转换器拓扑结构。

应用

FDD10A06广泛应用于多个领域,包括但不限于:
  ? 开关电源(SMPS)
  ? DC-DC升压/降压转换器
  ? 电池管理系统(BMS)
  ? 电机驱动和控制电路
  ? UPS不间断电源
  ? 太阳能逆变器和储能系统
  ? 工业自动化设备
  ? 汽车电子(如车载充电器OBC、DC-DC转换器)
  ? 家用电器(如变频空调、洗衣机等)

替代型号

FDMS86180、FDD10N06、IRFZ44N、SiR144DP、AO4406

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