FDD068AN03L-NL 是一款由富士电机(Fuji Electric)制造的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率、高频应用,如电源管理、开关电路和电机控制等。该器件采用先进的硅技术制造,具备高效能和高可靠性的特点。FDD068AN03L-NL 属于N沟道增强型MOSFET,适用于各种工业、消费类电子和汽车电子系统。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):60A
导通电阻(Rds(on)):6.8mΩ(典型值)
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:表面贴装(如PowerPAK SO-8)
FDD068AN03L-NL 具有以下显著特性:
1. **低导通电阻**:6.8mΩ的典型Rds(on)值显著降低了导通损耗,提高了能效,非常适合用于高电流应用。
2. **高电流承载能力**:最大连续漏极电流为60A,能够处理高功率负载,适用于电源转换器、DC-DC变换器等需要高电流的场合。
3. **高速开关特性**:该MOSFET具备较低的输入电容和门电荷,支持高速开关操作,从而减少开关损耗并提高系统效率。
4. **热稳定性优异**:采用先进的封装技术和材料,具备良好的热管理性能,确保在高温环境下仍能稳定运行。
5. **高可靠性**:经过严格的测试和验证,FDD068AN03L-NL 在工业级温度范围内具有出色的稳定性和长寿命,适合在严苛环境中使用。
6. **易于并联使用**:由于其正温度系数特性,多个MOSFET可以并联使用以提高系统功率处理能力,而不必担心电流不平衡问题。
7. **广泛的工作温度范围**:-55°C 至 150°C的工作温度范围使其适用于各种环境条件,包括极端温度下的工业和汽车应用。
FDD068AN03L-NL 的应用场景包括:
1. **电源管理系统**:如同步整流器、负载开关、电池管理系统(BMS)等。
2. **DC-DC转换器**:用于高效能的电压转换,适用于服务器电源、通信设备电源和便携式电子产品。
3. **电机控制**:用于直流电机驱动、步进电机控制器和伺服电机控制电路。
4. **汽车电子系统**:如车载充电器、电动助力转向系统(EPS)、电动水泵和空调压缩机控制等。
5. **工业自动化设备**:如PLC、变频器、伺服驱动器和工业机器人等需要高功率密度和高可靠性的场合。
6. **消费类电子产品**:如高性能笔记本电脑、游戏机和智能家居设备中的电源管理模块。
7. **LED照明系统**:用于高亮度LED的恒流驱动和调光控制。
SiR862DP-T1-GE, NexFET CSD17551Q5A, IRF6718TRPBF