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BAP50-02 发布时间 时间:2025/6/12 6:31:56 查看 阅读:6

BAP50-02是一款高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等高效率电力电子电路中。该器件采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,能够显著降低功耗并提高系统效率。
  其封装形式通常为TO-220或DPAK,具体取决于制造商的设计规范。由于其出色的电气特性和可靠性,BAP50-02在工业控制、汽车电子以及消费类电子产品中均有广泛应用。

参数

最大漏源电压:50V
  连续漏极电流:16A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关速度:快速
  封装类型:TO-220/DPAK

特性

BAP50-02的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗,从而提升整体效率。
  2. 较小的栅极电荷,可实现快速开关,降低开关损耗。
  3. 高电流处理能力,使其适用于多种大功率应用场景。
  4. 具备良好的热性能,确保在高温环境下稳定运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足现代电子产品的严格要求。
  6. 可靠性高,能够在恶劣的工作条件下长时间运行。

应用

BAP50-02适用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)设计中的功率开关。
  2. DC-DC转换器的核心元件,用于电压调节。
  3. 电机驱动电路,提供高效的电流切换。
  4. 电池管理系统(BMS)中的保护开关。
  5. 汽车电子设备中的负载控制。
  6. 各种工业自动化设备中的功率管理模块。

替代型号

BSC016N06NS3G, IRFZ44N, FDP5570

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BAP50-02参数

  • 典型载体寿命1.05μs
  • 安装类型表面贴装
  • 宽度0.85mm
  • 封装类型I-IGIA
  • 尺寸1.25 x 0.85 x 0.65mm
  • 引脚数目2
  • 最低工作温度-65 °C
  • 最大串联电阻值@最大IF5 mA @ 10
  • 最大二极管电容值0.35pF
  • 最大反向电压50V
  • 最大正向电压1.1V
  • 最大正向电流50mA
  • 最高工作温度+150 °C
  • 配置
  • 长度1.25mm
  • 高度0.65mm