时间：2025/8/14 23:59:32
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PJD1NA50 是一款由东芝（Toshiba）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高电压和高功率应用设计，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、马达控制以及各种工业电子设备。PJD1NA50具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，能够提供高效的功率转换性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
栅源电压（Vgs）：±30V
漏极电流（Id）：1.2A（连续）
导通电阻（Rds(on)）：2.5Ω（最大）
功耗（Pd）：50W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
PJD1NA50具备多项优良的电气和物理特性，使其在中高功率应用中表现出色。首先，其漏源耐压（Vds）达到500V，适合用于高电压开关电路。其次，该MOSFET的导通电阻较低（最大为2.5Ω），有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，PJD1NA50采用了高热稳定性设计，能够在较高温度下稳定工作，增强了器件的可靠性。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持±30V的栅源电压（Vgs），在不同的控制电路中都具有良好的兼容性。其封装形式为TO-220，具备良好的散热性能，适合安装在散热片上以增强散热效果。
由于其高可靠性和良好的电气性能，PJD1NA50常用于电源转换、工业控制和照明驱动等需要高电压和中等电流的应用场景。
PJD1NA50 主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动电路、马达控制电路、电源管理模块以及工业自动化控制系统。此外，它也可用于逆变器、UPS不间断电源和电能质量调节设备中。由于其高耐压和良好的导通特性，该MOSFET非常适合在需要高效能和高稳定性的功率转换系统中使用。
2SK2545, 2SK1318, 2SK1172, IRFBC20
