FDC697 时间：2025/8/24 12:57:10 阅读：4

FDC697 是由 Fairchild（飞兆半导体，现为安森美半导体的一部分）生产的一款双N沟道增强型功率MOSFET芯片，广泛应用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器等场合。该器件采用先进的平面沟槽工艺制造，具有低导通电阻（Rds(on)）和高功率密度的特点，适合用于需要高效率和高性能的开关应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：8A
　　导通电阻（Rds(on)）：32mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SO-8

特性

FDC697 MOSFET具有多个显著的技术特性，首先是其低导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V时仅为32mΩ，这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。其次是其高电流承载能力，单个器件可支持高达8A的连续漏极电流，适用于中高功率的应用场景。
　　此外，FDC697采用SO-8小型封装，具有良好的热性能和空间利用率，适合在高密度PCB设计中使用。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V的最大栅源电压，提高了其在不同驱动电路中的兼容性。
　　在开关性能方面，FDC697具备较快的开关速度，能够适应高频开关应用，减少开关损耗。同时，其内部结构优化设计降低了寄生电容，提升了整体的动态响应能力。
　　该MOSFET还具备良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适合工业级和汽车电子等对可靠性要求较高的应用场合。

应用

FDC697广泛应用于多个领域，包括但不限于同步整流、负载开关、电源管理单元（PMU）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）以及电机控制电路等。其高效率和小尺寸特性使其特别适用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子设备中的电源转换系统。
　　在DC-DC降压转换器中，FDC697通常被用作高边或低边开关，其低Rds(on)特性可显著降低导通损耗，提高转换效率。在负载开关电路中，该器件可用于控制电源通断，实现快速响应和低功耗设计。
　　由于其良好的热性能，FDC697也常用于需要长时间高负载运行的工业设备和汽车电子系统中，如车载充电器、LED驱动电路等。