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W632GU6MB-12 TR 发布时间 时间:2025/8/20 15:02:04 查看 阅读:12

W632GU6MB-12 TR是一款由Winbond公司生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于异步DRAM类别。该芯片专为需要高性能和低功耗的应用设计,广泛应用于工业控制、消费电子和通信设备等领域。该封装形式为TSOP(薄型小外形封装),便于在高密度电路板上使用,并具备良好的热稳定性和电气性能。

参数

容量:64Mbit
  组织结构:4M x 16
  电压范围:2.3V 至 3.6V
  访问时间:12ns
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  刷新周期:64ms
  数据保持电压:1.5V
  最大工作频率:83MHz

特性

W632GU6MB-12 TR是一款高性能、低功耗的异步DRAM芯片,具有较大的存储容量和快速的访问速度,适用于需要较高数据处理能力的设备。该芯片采用先进的CMOS工艺制造,能够在宽电压范围内稳定工作,适用于多种应用场景。其TSOP封装设计有助于提高电路板的空间利用率,并增强了芯片的散热性能。
  此外,W632GU6MB-12 TR具备较长的数据保持时间,在掉电情况下仍能通过数据保持电压维持数据完整性,适用于需要数据可靠性的系统。该芯片还支持自动刷新和自刷新模式,有效降低了系统功耗并简化了存储器管理。其宽温工作范围确保了在各种环境条件下都能稳定运行,适用于工业和车载等对可靠性要求较高的应用场合。

应用

该芯片广泛应用于需要高性能存储解决方案的设备,如网络设备、工业控制系统、通信模块、显示设备、医疗仪器以及消费类电子产品等。

替代型号

IS61LV25616A-10B4I

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W632GU6MB-12 TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-VFBGA
  • 供应商器件封装96-VFBGA(7.5x13)