时间：2025/7/1 1:19:38
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FDC645N是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于功率转换、负载开关、电机驱动和电源管理等领域。该器件采用DPAK封装形式，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适用于需要高效能和高可靠性的电子设备中。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：38A
导通电阻(Rds(on))：18mΩ
栅极电荷(Qg)：38nC
输入电容(Ciss)：1940pF
输出电容(Coss)：330pF
开关速度：较快
工作温度范围：-55℃至+175℃
FDC645N具备低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。
其较高的电流承载能力和良好的热性能使其非常适合于大功率应用。
该器件还拥有快速的开关速度，能够减少开关损耗。
FDC645N采用了先进的制造工艺，在保证高性能的同时也提供了出色的可靠性。
此外，它的工作温度范围较广，能够在极端环境下保持稳定运行。
该芯片广泛应用于直流-直流转换器、负载开关、电机驱动电路、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及其他需要高效功率控制的场合。
由于其优良的电气特性和热特性，FDC645N在工业控制、汽车电子以及消费类电子产品中均有广泛应用。
同时，它也非常适合用于电池管理系统(BMS)中的保护和控制电路设计。
FDP55N06L
IRF540N
STP55NF06L
