您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > FDC6420

FDC6420 发布时间 时间:2025/8/24 20:10:04 查看 阅读:6

FDC6420 是一款由 Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)推出的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用先进的沟槽技术制造,具有低导通电阻和高功率密度的特点。该器件广泛应用于电源管理、开关电源、负载开关、电机控制以及电池供电设备等需要高效率、高可靠性的场合。FDC6420 采用 8 引脚 SOIC 封装,具备优良的热稳定性和高频响应能力,适合在高密度 PCB 设计中使用。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏源电压(VDS):30V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):8A(在 VGS=10V)
  导通电阻(RDS(on)):17mΩ(典型值,VGS=10V)
  栅极电荷(Qg):22nC(典型值)
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装形式:8-SOIC

特性

FDC6420 的主要特性之一是其极低的导通电阻(RDS(on)),这有助于降低导通损耗,提高整体系统的效率。其先进的沟槽式 MOSFET 结构优化了导通和开关性能之间的平衡,使得该器件在高频应用中表现优异。此外,该 MOSFET 具备良好的热稳定性,能够在高功率密度环境下长时间运行,具备较高的可靠性和耐用性。
  FDC6420 还具备快速开关特性,其较低的栅极电荷(Qg)和开关时间(如 tr 和 tf)有助于减少开关过程中的能量损耗,从而提高电源转换效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽(通常为 4.5V 至 20V),支持使用标准逻辑电平驱动器进行控制,适用于多种控制电路架构。
  封装方面,FDC6420 采用标准的 8 引脚 SOIC 封装,具有良好的散热性能和兼容性,能够方便地集成到各种 PCB 设计中。其封装设计也符合 RoHS 环保标准,适合用于绿色电子产品制造。

应用

FDC6420 通常用于各种中低功率功率电子系统中,作为主开关元件或负载开关。例如,在 DC-DC 转换器、同步整流电路、负载管理、电机驱动、电池管理系统(BMS)等应用中,FDC6420 都能提供出色的性能。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于高效率电源管理模块,如笔记本电脑电源适配器、便携式设备电源系统、工业自动化设备以及 LED 驱动器等。
  在汽车电子领域,FDC6420 也可用于车身控制模块、车载充电器、电池管理系统等应用,提供稳定的开关性能和良好的热管理能力。由于其具备较高的可靠性和耐用性,因此也常用于对稳定性要求较高的嵌入式系统中。

替代型号

Si7410DP, IRF7413, FDS6675, AO4406, NTD14N03R2

FDC6420推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

FDC6420资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载
  • FDC6420
  • 20V N & P-Channel PowerTrench MOSFET...
  • FAIRCHILD
  • 阅览