类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　漏源电压（VDS）：650V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：150A
　　导通电阻（RDS(on)）：15mΩ
　　栅极电荷（QG）：100nC
　　反向恢复电荷（Qrr）：0nC
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：PB-H（底部散热）
　　封装尺寸：12.7mm x 10.4mm x 1.5mm
　　安装方式：表面贴装（SMD）

G1N65R150PB-H具有多项显著的技术优势，首先，其基于氮化镓（GaN）材料的半导体结构使其具备了比传统硅基MOSFET更高的电子迁移率，从而实现了更快的开关速度和更低的导通损耗。其次，该器件的导通电阻仅为15mΩ，这意味着在高电流条件下，其导通压降和功率损耗都非常低，有助于提高整体系统的能效。
　　此外，G1N65R150PB-H具备极低的栅极电荷（QG）和零反向恢复电荷（Qrr），这使得它在高频开关应用中表现尤为出色，可以显著减少开关损耗，提高电源转换效率。该器件还具有优异的热管理性能，采用底部散热的PB-H封装形式，能够有效将热量传导到PCB上，从而保持较低的工作温度，延长器件寿命。
　　这款GaN晶体管还具有宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C），适用于各种严苛的工业和户外环境。由于其高速开关能力和低损耗特性，G1N65R150PB-H非常适合用于高功率密度电源系统，如服务器电源、电信整流器、电动汽车充电系统以及可再生能源逆变器等。

G1N65R150PB-H广泛应用于需要高效、高频开关性能的电力电子系统中。具体应用包括但不限于：
　　1. 高效率服务器电源和电信电源系统：由于G1N65R150PB-H具备低导通电阻和高速开关特性，能够有效降低电源系统的能量损耗，提高整体能效，适用于数据中心和通信设备的电源模块。
　　2. DC-DC转换器和AC-DC转换器：该器件的低QG和Qrr特性使其在高频率变换器中表现出色，适用于各种工业电源、电池充电器和UPS系统。
　　3. 可再生能源系统：例如太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块，G1N65R150PB-H可以在高电压和高电流环境下保持稳定的性能，提高能源转换效率。
　　4. 电动汽车（EV）充电设备：该器件的高耐压能力和高效能特性使其适用于电动汽车充电桩和车载充电器（OBC），有助于减小系统体积并提升充电效率。
　　5. 高频功率放大器和射频电源：在某些需要高开关频率的射频应用中，G1N65R150PB-H也可以作为功率开关器件使用。

GS66516T, EPC2045, LMG5200