时间：2025/8/24 9:14:40
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FDC638APZ_SBMS001 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）推出的高性能双N沟道功率MOSFET器件，采用先进的PowerTrench?技术，旨在提供低导通电阻和高效率的开关性能。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等高频率开关场合。FDC638APZ采用小型化的封装设计，具备优异的热性能和电气性能，适用于对空间和效率要求较高的电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：5.6A
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：23mΩ @ VGS=10V，35mΩ @ VGS=4.5V
功率耗散（PD）：1.4W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：8引脚SOIC
FDC638APZ_SBMS001具备多项优异的电气和热性能，首先，其双N沟道MOSFET结构允许在单一封装中实现两个独立的功率开关，从而减少PCB空间并提高系统集成度。该器件采用了PowerTrench?技术，通过优化的沟槽结构显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了能效。
其次，FDC638APZ具有较低的栅极电荷（Qg），使得在高频开关应用中能够实现更快的开关速度并减少开关损耗。此外，其低输入电容（Ciss）和反馈电容（Crss）也有助于提升高频性能和稳定性。
该器件的封装形式为8引脚SOIC，具有良好的散热性能，能够在高电流条件下保持较低的温升。同时，其支持的宽栅极电压范围（±20V）使其适用于多种驱动电路设计，并具备较强的抗电压波动能力。
此外，FDC638APZ的工作温度范围宽，适用于工业级和汽车电子应用中的恶劣环境条件。
FDC638APZ_SBMS001 主要应用于各类电源管理系统，包括同步整流型DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、电源分配系统以及便携式电子产品中的功率控制模块。由于其高效的导通性能和快速的开关响应，该器件特别适合用于高频开关电源设计。此外，在工业自动化设备和汽车电子系统中，FDC638APZ也常用于功率MOSFET阵列或作为高侧/低侧开关元件。
Si3442DV-T1-GE3, BSC059N03MS
