时间：2025/5/9 15:33:08
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FDC638APZ是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的半导体制造工艺。该器件具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适用于需要高效能和高可靠性的应用场合。其小型化的封装形式使其非常适合于空间受限的设计环境。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：24A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：28nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃至175℃
FDC638APZ具有非常低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高整体效率。同时，它还具备较高的电流承载能力和良好的热性能，确保在高负载条件下的稳定运行。此外，该器件的快速开关特性使其特别适合高频开关应用。
该MOSFET采用了先进的屏蔽栅极技术，从而显著降低了导通电阻和栅极电荷之间的折衷问题。这种设计不仅提高了效率，还优化了动态性能，减少了电磁干扰（EMI）。
FDC638APZ还具备优异的雪崩能力和抗静电能力（ESD），进一步增强了其可靠性。这些特点使得该器件非常适合用于电机驱动、电源管理以及DC-DC转换器等应用领域。
FDC638APZ广泛应用于各种高性能电力电子系统中，包括但不限于：
- 笔记本电脑和台式机电源适配器
- 开关模式电源（SMPS）
- 电动工具中的无刷直流电机驱动
- 汽车电子中的负载切换
- 工业自动化设备中的电源管理
- 多相VRM/DHV应用中的功率级开关
FDC638PZ, FDS638APZ
