时间：2025/6/6 8:44:06
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FDC636P是一款N沟道增强型MOSFET，主要应用于需要低导通电阻和高开关速度的场景。该器件采用了先进的制造工艺，在小型封装中实现了卓越的性能表现。其典型应用包括负载开关、同步整流器、DC-DC转换器以及电池保护电路等。
该器件具有较低的导通电阻和极高的电流承载能力，同时具备出色的热稳定性，能够在各种恶劣环境下保持稳定运行。
型号：FDC636P
类型：N沟道增强型MOSFET
Vds（漏源电压）：30V
Vgs（栅源电压）：±20V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：1.7mΩ
Id（漏极电流）：145A
Ptot（总功耗）：1.6W
封装形式：TO-263-3
工作温度范围：-55℃ to +175℃
1. 极低的导通电阻Rds(on)，仅为1.7mΩ，有助于减少功率损耗，提高系统效率。
2. 高电流处理能力，最大支持145A的漏极电流，适用于大功率应用场景。
3. 良好的热稳定性，能够在极端温度条件下正常工作，适应范围为-55℃至+175℃。
4. 采用TO-263-3封装形式，便于安装且散热性能优异。
5. 快速开关性能，能够有效降低开关损耗并提升整体工作效率。
6. 静电防护设计，增强了芯片在实际使用中的可靠性与抗干扰能力。
FDC636P广泛应用于多种电力电子领域，如：
1. 各类负载开关，用于实现对电路中不同部分的快速控制。
2. 同步整流器，特别是在高频开关电源中发挥重要作用。
3. DC-DC转换器的核心元件之一，用于提升转换效率并减小体积。
4. 电池保护电路，提供过流及短路保护功能。
5. 其他涉及大电流、高频开关的应用场合，例如电机驱动器或逆变器等。
FDS6680P
FDP5500
IRLZ44N
