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FDC636P 发布时间 时间:2025/6/6 8:44:06 查看 阅读:5

FDC636P是一款N沟道增强型MOSFET,主要应用于需要低导通电阻和高开关速度的场景。该器件采用了先进的制造工艺,在小型封装中实现了卓越的性能表现。其典型应用包括负载开关、同步整流器、DC-DC转换器以及电池保护电路等。
  该器件具有较低的导通电阻和极高的电流承载能力,同时具备出色的热稳定性,能够在各种恶劣环境下保持稳定运行。

参数

型号:FDC636P
  类型:N沟道增强型MOSFET
  Vds(漏源电压):30V
  Vgs(栅源电压):±20V
  Rds(on)(导通电阻,典型值):1.7mΩ
  Id(漏极电流):145A
  Ptot(总功耗):1.6W
  封装形式:TO-263-3
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

1. 极低的导通电阻Rds(on),仅为1.7mΩ,有助于减少功率损耗,提高系统效率。
  2. 高电流处理能力,最大支持145A的漏极电流,适用于大功率应用场景。
  3. 良好的热稳定性,能够在极端温度条件下正常工作,适应范围为-55℃至+175℃。
  4. 采用TO-263-3封装形式,便于安装且散热性能优异。
  5. 快速开关性能,能够有效降低开关损耗并提升整体工作效率。
  6. 静电防护设计,增强了芯片在实际使用中的可靠性与抗干扰能力。

应用

FDC636P广泛应用于多种电力电子领域,如:
  1. 各类负载开关,用于实现对电路中不同部分的快速控制。
  2. 同步整流器,特别是在高频开关电源中发挥重要作用。
  3. DC-DC转换器的核心元件之一,用于提升转换效率并减小体积。
  4. 电池保护电路,提供过流及短路保护功能。
  5. 其他涉及大电流、高频开关的应用场合,例如电机驱动器或逆变器等。

替代型号

FDS6680P
  FDP5500
  IRLZ44N

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FDC636P参数

  • 标准包装3,000
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - 电源分配开关
  • 系列-
  • 类型高端开关
  • 输出数1
  • Rds(开)130 毫欧
  • 内部开关
  • 电流限制2.8A
  • 输入电压-
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
  • 供应商设备封装6-SSOT
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDC636P-ND